内存中DDR和DDR2，DDR3，区别在那里
严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。
SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。
与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。
从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。
DDR2内存起始频率从DDR内存最高标准频率400Mhz开始，现已定义可以生产的频率支持到533Mhz到667Mhz,标准工作频率工作频率分别是200/266/333MHz，工作电压为1.8V。DDR2采用全新定义的240 PIN DIMM接口标准，完全不兼容于DDR的184PIN DIMM接口标准。
DDR2和DDR一样，采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但是最大的区别在于，DDR2内存可进行4bit预读取。两倍于标准DDR内存的2BIT预读取，这就意味着，DDR2拥有两倍于DDR的预读系统命令数据的能力，因此，DDR2则简单的获得两倍于DDR的完整的数据传输能力。
内存DDR与之DDR2和DDR3的区别之参数不同之处，见下面表格 ：
| 参数 | DDR | DDR2 | DDR3 |
| 电压 VDD/VDDQ | 2.5V/2.5V | 1.8V/1.8V(±0.1) | 1.5V/1.5V(±0.075) |
| I/O接口 | SSTL_25 | SSTL_18 | SSTL_15 |
| 数据传输率(Mbps) | 200～400 | 400～800 | 800～2000 |
| 容量标准 | 64M～1G | 256M～4G | 512M～8G |
| Memory Latency(ns) | 15～20 | 10～20 | 10～15 |
| CL值 | 1.5/2/2.5/3 | 3/4/5/6 | 5/6/7/8 |
| 预取设计(Bit) | 2 | 4 | 8 |
| 逻辑Bank数量 | 2/4 | 4/8 | 8/16 |
| 突发长度 | 2/4/8 | 4/8 | 8 |
| 封装 | TSOP | FBGA | FBGA |
| 引脚标准 | 184Pin | 240Pin | 240Pin |
上表为大家对比的是目前标准DDR2与DDR3内存参数对比，通过对比我们可以发现，在主频方面，DDR3内存是2000MHz明显高于DDR2的800MHz的主频，另外在时序方面DDR3内存也优秀于DDR2内存，还有一个方面就是功耗方面，DDR3工作电压为1.5v低于DDR2的工作电压，也就是说DDR3内存速度全面优秀于上一代DDR2内存，并且耗电更少。
DDR2内存技术最大的突破点其实不在于所谓的两倍于DDR的传输能力，而是，在采用更低发热量，更低功耗的情况下，反而获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。
所以我们看到的目前的DDR3其实它相对来说我觉得叫DDR2pro或是DDR2+应该更为贴切。
因为它其实是DDR2的延伸..只是提升了频率降低了能耗而已，实际的技术并没有特别的变化。
